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Infineon News

Infineon stellt zweite Generation von hochzuverlässigem nichtflüchtigem SRAM vor

Infineon Technologies LLC, ein Unternehmen der Infineon Technologies AG, bringt die zweite Generation seiner nichtflüchtigen statischen RAMs (nvSRAM) auf den Markt. Die leistungsfähigen Arbeitsspeicher sind nach QML-Q- und Industriespezifikationen besonders hoher Zuverlässigkeit qualifiziert.

Infineon stellt zweite Generation von hochzuverlässigem nichtflüchtigem SRAM vor

Die neue Generation unterstützt anspruchsvolle Anwendungen für nichtflüchtige Codespeicherung und Datenerfassung in rauen Umgebungen, einschließlich Luft- und Raumfahrt sowie Industrieanwendungen.

Die 256 kb STK14C88C und 1 Mb STK14CA8C nvSRAMs sind in 32-poligen 300-mil zweireihigen Keramikgehäusen qualifiziert. Die Qualifizierung erfolgte gemäß MIL-PRF-38535 QML-Q-Spezifikationen (-55°C bis 125°C) und nach den Industriestandards von Infineon (-40°C bis 85°C). Angeboten werden die Speicher in 5-V- und 3-V-Versionen, um Boot-Code, Datenerfassung und Kalibrierungsdatenspeicherung für Luft- und Raumfahrt sowie Kommunikations- und Navigationssysteme zu unterstützen. Weitere Anwendungsfelder umfassen Industrieöfen und Bahnsteuerungssysteme. Infineon bietet außerdem den Vertrieb von Wafern an, um System-in-a-Package-Lösungen zu unterstützen.


Infineon stellt zweite Generation von hochzuverlässigem nichtflüchtigem SRAM vor

„Mit der neuen Generation an nvSRAMs baut Infineon seine Führungsposition bei Charge-Trapping-Speichern weiter aus“, sagt Helmut Puchner, VP Fellow of Aerospace and Defense, bei Infineon Technologies LLC. „Die erweiterte nvSRAM-Familie weist die QML-Q- und eine anspruchsvolle Industriequalifikation für besonders hohe Zuverlässigkeit auf. Das verdeutlicht einmal mehr unsere Verpflichtung: Lösungen für raue Betriebsumgebungen zu liefern, die hochleistungsfähige und hochzuverlässige Speicher erfordern.“

Die nvSRAM-Technologie von Infineon kombiniert Hochleistungs-SRAM mit der branchenführenden nichtflüchtigen SONOS-Technologie. Unter normalen Betriebsbedingungen verhält sich nvSRAM wie ein herkömmliches asynchrones SRAM. Bei einem Stromausfall speichert nvSRAM automatisch eine Kopie der SRAM-Daten in den nichtflüchtigen Speicher, wo die Daten für mehr als 20 Jahre geschützt sind. Infineon hat bereits mehr als zwei Milliarden SONOS-basierte nichtflüchtige Embedded- oder Standalone-Speicher ausgeliefert.

www.infineon.com
 

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